有研半导体硅材料股份公司

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C 制造业 39 计算机、通信和其他电子设备制造业高新技术企业专精特新

统一社会信用代码: 91110000600090126J
法定代表人: 张果虎
成立日期: 2001-06-21
注册资本: 106047.79万人民币

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工商登记信息

统一社会信用代码: 91110000600090126J
法定代表人: 张果虎
登记状态: 存续
成立日期: 2001-06-21
注册资本: 106047.79万人民币
实缴资本: 90000万人民币
企业类型: 股份有限公司（外商投资、未上市）
企业规模: 小型
参保人数: 0 人（2023 年报）
营业期限: 2021-02-25 至无固定期限
登记地区: 北京市顺义区
核准日期: 2024-06-28
国标行业: C 制造业 › 39 计算机、通信和其他电子设备制造业 › 电子器件制造
注册号: 110000410159624
英文名称: GRINM Semiconductor Materials Co.,Ltd.
曾用名: 国泰半导体材料有限公司，有研半导体材料有限公司
注册地址: 北京市顺义区林河工业开发区双河路南侧

经营范围（展开）

生产重掺砷硅单晶（片）、区熔硅单晶（片）；研制重掺砷硅单晶（片）、区熔硅单晶（片）；提供相关技术开发、转让及咨询服务；销售自产产品；货物进出口；技术进出口。（市场主体依法自主选择经营项目，开展经营活动；该企业于2021年02月25日由内资企业变更为外商投资企业；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事国家和本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）

政府部门认定记录

省级专精特新中小企业（2023 年）
省级创新型中小企业（2022 年）
高新技术企业（2024-12-19 发证，编号 GS202411000129）
高新技术企业（2021-12-17 发证，编号 GS202111000050）
高新技术企业（2018-09-10 发证，编号 GR201811001291）
高新技术企业（2015-11-24 发证，编号 GR201511002259）

以上为工商登记及政府部门公开的认定信息，可能存在更新延迟，请以国家企业信用信息公示系统及认定部门发布为准。本站不对企业进行信用评级。

融资历程 1 次

A 15000万元 2021-06-24 增资

投资方：中电科核心技术创新、深圳国新风投、中信证券投资

投后估值：353773.58万元

融资事件来自公开投融资事件数据整理，金额以披露为准；自然人投资者不显示姓名。

上市信息

证券代码	证券简称	交易所 / 板块	上市日期	状态	证监会行业
688432	有研硅	上交所科创板	2022-11-10	正常上市	C39 计算机、通信和其他电子设备制造业

经营性质：中外合资。年度财务数据来自上市公司年度报告（合并报表）。

股东与对外投资

主要股东 10

中信证券投资有限公司 71.0%
中电科核心技术研发股权投资基金(北京)合伙企业(有限合伙) 71.0%
德州芯睿咨询管理中心(有限合伙) 69.0%
中信证券股份有限公司-嘉实上证科创板芯片交易型开放式指数证券投资基金 65.0%
北京有研艾斯半导体科技有限公司 30.8%

登录后查看全部 10 个股东

控股及参股公司 3

山东有研半导体材料有限公司 85.0%
北京艾唯特科技有限公司 51.0%
山东有研艾斯半导体材料有限公司 20.0%

登录后可点击查看关联企业。

来自 CSMAR 数据库及上市公司年报的最近一期数据；自然人股东只显示人数和合计持股比例。

财务概况

报告期	营业总收入	净利润	资产总额	研发投入	净资产收益率	收入增长
2025-12-31 经审计	10.05 亿	2.09 亿	54.94 亿	9241.4 万	4.2%	0.9%
2024-12-31 经审计	9.96 亿	2.33 亿	53.68 亿	7828.1 万	4.9%	3.7%
2023-12-31 经审计	9.60 亿	2.54 亿	50.43 亿	8222.2 万	5.5%	-18.3%
2022-12-31 经审计	11.75 亿	3.51 亿	49.64 亿	8470.4 万	8.0%	—
2021-12-31 经审计	8.69 亿	1.87 亿	29.77 亿	7641.3 万	8.1%	—

单位：元（人民币）；上市公司来自年度报告合并报表，其他企业来自 CSMAR 专精特新数据库；以企业公开披露为准，仅供参考。

专利 35 件

发明 24实用新型 11

2020

2021

2022

2023

一种重掺砷低电阻率硅单晶微缺陷的检测方法
发明 · 申请号 202310616131.1 · 申请日 2023-05-29 · 公开号 CN116642914A
直拉法制备超高电阻率硅衬底的方法
发明 · 申请号 202211727056.8 · 申请日 2022-12-27 · 公开号 CN116240621A
一种半导体单晶硅片金刚线切割的工艺方法
发明 · 申请号 202211670509.8 · 申请日 2022-12-14 · 公开号 CN116001120A
一种改善硅单晶直拉炉加热器寿命的方法
发明 · 申请号 202211601075.6 · 申请日 2022-12-14 · 公开号 CN116103748A
一种提高大直径单晶硅放肩稳定性的方法
发明 · 申请号 202211600313.1 · 申请日 2022-12-13 · 公开号 CN116005250A

来自 CSMAR 专精特新数据库，按申请号去重；列出最近 20 件。