瑞能
瑞能半导体科技股份有限公司
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- 统一社会信用代码
- 913601003364375721
- 法定代表人
- 李滨
- 成立日期
- 2015-08-05
- 注册资本
- 36163.3396万人民币
工商登记信息
- 统一社会信用代码
- 913601003364375721
- 法定代表人
- 李滨
- 登记状态
- 存续
- 成立日期
- 2015-08-05
- 注册资本
- 36163.3396万人民币
- 实缴资本
- 9000万人民币
- 企业类型
- 股份有限公司(中外合资、未上市)
- 企业规模
- 微型
- 参保人数
- 9 人（2023 年报）
- 营业期限
- 2015-08-05 至 无固定期限
- 登记地区
- 江西省南昌市南昌县
- 核准日期
- 2023-10-18
- 国标行业
- C 制造业 › 39 计算机、通信和其他电子设备制造业 › 电子器件制造
- 注册号
- 360100510009285
- 英文名称
- Ween Semiconductors Co.,Ltd.
- 曾用名
- 瑞能半导体有限公司
- 注册地址
- 江西省南昌市南昌县小蓝经济技术开发区小蓝中大道346号16栋北面一楼
经营范围 （展开）
半导体产品和设备、零部件的研发、设计、生产、销售、技术咨询、技术服务和技术转让；自营和代理各类商品和技术的进出口业务。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
政府部门认定记录
- 国家级专精特新“小巨人”企业（2021 年，第三批）
- 高新技术企业（2025-10-29 发证，编号 GR202536000477）
- 高新技术企业（2022-11-04 发证，编号 GR202236000311）
- 高新技术企业（2019-12-03 发证，编号 GR201936001764）
以上为工商登记及政府部门公开的认定信息，可能存在更新延迟，请以国家企业信用信息公示系统及认定部门发布为准。本站不对企业进行信用评级。
融资历程 4 次
-
定向增发 1000.05万元 2023-04-26 增资投资方：西南证券投后估值：222232.6万元
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A 未披露 2019-03-28 增资投资方：建投华科
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Pre-A 未披露 2018-05-23 增资投资方：建广资产
-
天使轮 未披露 2015-10-23 增资投资方：建广资产
融资事件来自公开投融资事件数据整理，金额以披露为准；自然人投资者不显示姓名。
股东与对外投资
主要股东 11
- WeEnland Limited 92.0%
- 恩蓝有限公司 92.0%
- 北京广盟半导体产业投资中心(有限合伙) 24.2%
- 南昌建恩半导体产业投资中心(有限合伙) 24.2%
- 天津瑞芯半导体产业投资中心(有限合伙) 22.8%
登录后查看全部 11 个股东
控股及参股公司 1
- 中电化合物半导体有限公司 1.5%
作为股东投资的企业 3
- 吉林瑞能半导体有限公司 100.0%
- 瑞能微恩半导体（上海）有限公司 100.0%
- 中天晶科(宁波)半导体材料有限公司 1.5%
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来自 CSMAR 数据库及上市公司年报的最近一期数据；自然人股东只显示人数和合计持股比例。
分支机构 1 家
- 瑞能半导体科技股份有限公司深圳分公司 在营
登录后查看全部分支机构及其登记信息。
财务概况
| 报告期 | 营业总收入 | 净利润 | 资产总额 | 研发投入 | 净资产收益率 | 收入增长 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 2025-06-30 经审计 | 4.41 亿 | 3032.5 万 | 22.21 亿 | 2926.1 万 | 1.9% | 17.9% |
| 2024-12-31 经审计 | 7.86 亿 | 2036.0 万 | 20.38 亿 | 7227.8 万 | 1.3% | -5.7% |
| 2023-12-31 经审计 | 8.33 亿 | 1.01 亿 | 19.64 亿 | 6563.0 万 | 6.6% | -16.6% |
| 2022-12-31 经审计 | 10.01 亿 | 1.16 亿 | 19.18 亿 | 6251.9 万 | 8.2% | 10.1% |
| 2021-12-31 经审计 | 9.09 亿 | 1.40 亿 | 15.44 亿 | 4954.3 万 | 10.9% | 31.1% |
单位：元（人民币）；上市公司来自年度报告合并报表，其他企业来自 CSMAR 专精特新数据库；以企业公开披露为准，仅供参考。
专利 64 件
发明 37实用新型 27
2018
2019
2020
2021
2022
2023
- 用于半导体的环氧封装组合物及其制备方法和半导体器件封装层发明 · 申请号 202310429508.2 · 申请日 2023-04-20 · 公开号 CN116376496A
- 沟槽型MOSFET晶体管实用新型 · 申请号 202320007254.0 · 申请日 2023-01-03 · 公开号 CN219435880U
- 半导体器件发明 · 申请号 202211665967.2 · 申请日 2022-12-23 · 公开号 CN116053234A
- 焊接结构及功率器件实用新型 · 申请号 202223095849.0 · 申请日 2022-11-22 · 公开号 CN218612134U
- 焊接结构及功率器件发明 · 申请号 202211463617.8 · 申请日 2022-11-22 · 公开号 CN115673467A
来自 CSMAR 专精特新数据库，按申请号去重；列出最近 20 件。
主营业务
半导体产品和设备、零部件的研发、设计、生产、销售、技术咨询、技术服务和技术转让；自营和代理各类商品和技术的进出口业务。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
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