北京通美晶体技术股份有限公司

暂无用户评价，来写第一条吧

C 制造业 39 计算机、通信和其他电子设备制造业高新技术企业专精特新

统一社会信用代码: 91110000700004889C
法定代表人: 莫里斯·杨
成立日期: 1998-09-25
注册资本: 88542.6756万人民币

写评价对比我是该企业员工，认领页面

–

暂无评分

0 条评价

评分仅为信问一号用户评价的统计汇总，不构成信用评级、资质认证或推荐；本平台不从事征信业务，不颁发任何信用证书。

工商登记信息

统一社会信用代码: 91110000700004889C
法定代表人: 莫里斯·杨
登记状态: 存续
成立日期: 1998-09-25
注册资本: 88542.6756万人民币
实缴资本: 88542.6756万人民币
企业类型: 股份有限公司（外商投资、未上市）
企业规模: 中型
参保人数: 528 人（2023 年报）
营业期限: 1998-09-25 至无固定期限
登记地区: 北京市通州区
核准日期: 2024-06-25
国标行业: C 制造业 › 39 计算机、通信和其他电子设备制造业 › 电子器件制造
注册号: 110000410131295
英文名称: Beijing Tongmei Xtal Technology Co.,Ltd.
曾用名: 北京通美晶体技术有限公司
注册地址: 北京市通州区工业开发区东二街4号

经营范围（展开）

生产单晶抛光片及相关的半导体材料和超纯元素；研究、开发单晶抛光片及相关的半导体材料和超纯元素；销售自产产品；从事半导体材料与产品的批发、佣金代理（拍卖除外）、进出口（不涉及国营贸易管理商品，涉及配额、许可证管理商品的按照国家有关规定办理申请），提供咨询、技术和售后服务。（市场主体依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事国家和本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）

政府部门认定记录

国家级专精特新“小巨人”企业（2022 年，第四批）
高新技术企业（2023-11-30 发证，编号 GR202311003641）
高新技术企业（2020-12-02 发证，编号 GR202011006218）
高新技术企业（2017-10-25 发证，编号 GR201711003982）
高新技术企业（2014-10-30 发证，编号 GR201411001251）

以上为工商登记及政府部门公开的认定信息，可能存在更新延迟，请以国家企业信用信息公示系统及认定部门发布为准。本站不对企业进行信用评级。

股东与对外投资

主要股东 22

AXT, Inc. 85.5%
合肥华登二期集成电路产业投资合伙企业(有限合伙) 79.0%
井冈山美橙股权投资合伙企业(有限合伙) 67.0%
辽宁海通新能源低碳产业股权投资基金有限公司 52.0%
青岛芯行壹股权投资基金合伙企业(有限合伙) 45.0%

登录后查看全部 22 个股东

控股及参股公司 6

保定通美晶体制造有限责任公司 100.0%
北京博宇半导体工艺器皿技术有限公司 100.0%
南京金美镓业有限公司 100.0%
朝阳通美晶体科技有限公司 100.0%
朝阳金美镓业有限公司 100.0%

登录后查看全部 6 家

作为股东投资的企业 2

保定通美晶体制造有限责任公司 100.0%
北京博宇半导体工艺器皿技术有限公司 100.0%

登录后可点击查看关联企业。

来自 CSMAR 数据库及上市公司年报的最近一期数据；自然人股东只显示人数和合计持股比例。

财务概况

报告期	营业总收入	净利润	资产总额	研发投入	净资产收益率	收入增长
2024-12-31	4.74 亿	5478.1 万	19.48 亿	—	3.9%	-5.6%
2023-12-31	5.02 亿	5427.8 万	19.48 亿	—	3.8%	14.1%
2022-12-31	6542.9 万	823.4 万	2.80 亿	—	3.9%	20.7%
2021-12-31	3.65 亿	-1686.3 万	16.21 亿	—	-1.2%	-10.6%
2020-12-31	4.08 亿	2812.7 万	—	—	—	14.2%

单位：元（人民币）；上市公司来自年度报告合并报表，其他企业来自 CSMAR 专精特新数据库；以企业公开披露为准，仅供参考。

专利 48 件

发明 34实用新型 14

2021

2022

2023

掺杂硫的磷化铟单晶棒制法及单晶棒、单晶片及制法、用途
发明 · 申请号 202310032681.9 · 申请日 2023-01-10 · 公开号 CN116043318A
半导体晶棒生长管装置
实用新型 · 申请号 202222978196.4 · 申请日 2022-11-09 · 公开号 CN218621120U
半导体晶棒生长管装置
发明 · 申请号 202211397231.1 · 申请日 2022-11-09 · 公开号 CN115558983A
一种GaAs单晶及其VGF制备方法
发明 · 申请号 202210417314.6 · 申请日 2022-04-20 · 公开号 CN114808131A
一种GaAs单晶的生长方法
发明 · 申请号 202210410996.8 · 申请日 2022-04-19 · 公开号 CN114574939A

来自 CSMAR 专精特新数据库，按申请号去重；列出最近 20 件。