龙腾半导体股份有限公司

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C 制造业 39 计算机、通信和其他电子设备制造业高新技术企业专精特新

统一社会信用代码: 91610132688983884K
注册资本: 12926.1111万人民币

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工商登记信息

统一社会信用代码: 91610132688983884K
注册资本: 12926.1111万人民币
企业类型: 股份有限公司
登记地区: 陕西省西安市
国标行业: C 制造业 › 39 计算机、通信和其他电子设备制造业 › 半导体分立器件制造
注册号: 610131100027233
注册地址: 西安经济技术开发区凤城十二路1号出口加工区

经营范围（展开）

Xi'an Lonten Renewable Energy Technology is a company that specializes in the development, manufacture, and sale of power semiconductor devices. Xi'an Lonten Renewable Energy Technology's products include Super Junction Power FET, HV Planar MOSFET, IGBT, FRD, and other high energy efficiency, high reliability, and high cost performance products. These are widely utilized in consumer, industrial, and automotive fields such as TV, power supply, charger, LED drive power supply, and vehicle power supply. Xi'an Lonten Renewable Energy Technology aims to be a leading supplier of power semiconductors in China and globally, with a focus on technology innovation and an R&D center and application testing laboratory.

政府部门认定记录

国家级专精特新“小巨人”企业（2020 年，第二批）
省级创新型中小企业（2022 年）
高新技术企业（2023-11-29 发证，编号 GR202361001345）
高新技术企业（2020-12-01 发证，编号 GR202061002397）
高新技术企业（2017-10-18 发证，编号 GR201761000560）
高新技术企业（2014-09-04 发证，编号 GR201461000177）

以上为工商登记及政府部门公开的认定信息，可能存在更新延迟，请以国家企业信用信息公示系统及认定部门发布为准。本站不对企业进行信用评级。

融资历程 3 次

未披露未披露 2025-02-14 增资

投资方：西投控股
Pre-IPO 38670万元 2020-08-28 增资

投资方：经发资产管理、深流资本、江苏海盛产业投资、山东铁路发展基金有限公司（管理）、新时代基金管理、广州碧蓝环保、阿基米德金融、云泽资本、磐鼎管理咨询
战略融资未披露 2019-05-14 增资

投资方：西高投、鸿创投资、致信企业管理咨询

融资事件来自公开投融资事件数据整理，金额以披露为准；自然人投资者不显示姓名。

股东与对外投资

主要股东 5

自然人股东 18 名
西安磐鼎企业管理咨询合伙企业(有限合伙)
西安致信企业管理咨询有限合伙企业
陕西省新能源汽车高技术创业投资基金(有限合伙)
陕西省集成电路产业投资基金(有限合伙)

控股及参股公司 1

西安龙飞电气技术有限公司 100.0%

登录后可点击查看关联企业。

来自 CSMAR 数据库及上市公司年报的最近一期数据；自然人股东只显示人数和合计持股比例。

分支机构 2 家

龙腾半导体股份有限公司深圳分公司
龙腾半导体股份有限公司苏州分公司在营

登录后查看全部分支机构及其登记信息。

财务概况

报告期	营业总收入	净利润	资产总额	研发投入	净资产收益率	收入增长
2021-12-31	1.84 亿	-396.3 万	6.14 亿	—	-0.7%	18.6%
2020-12-31	1.55 亿	1963.7 万	—	—	—	52.8%
2019-12-31	1.02 亿	-1597.7 万	1.24 亿	—	-17.3%	—

单位：元（人民币）；上市公司来自年度报告合并报表，其他企业来自 CSMAR 专精特新数据库；以企业公开披露为准，仅供参考。

专利 37 件

发明 32实用新型 5

2020

2021

2022

一种具有高k介质的屏蔽栅沟槽MOSFET的制造方法
发明 · 申请号 202211693751.7 · 申请日 2022-12-28 · 公开号 CN115810546A
一种屏蔽栅沟槽MOSFET结构及其制造方法
发明 · 申请号 202211693735.8 · 申请日 2022-12-28 · 公开号 CN115799339A
一种具有高k介质的屏蔽栅沟槽型MOSFET结构
发明 · 申请号 202211692949.3 · 申请日 2022-12-28 · 公开号 CN115763565A
一种具有P柱区埋层的超结SGT结构及其制造方法
发明 · 申请号 202211638023.6 · 申请日 2022-12-20 · 公开号 CN115831755A
一种增强抗闩锁特性的IEGT器件及其制造方法
发明 · 申请号 202211609740.6 · 申请日 2022-12-15 · 公开号 CN115985951A

来自 CSMAR 专精特新数据库，按申请号去重；列出最近 20 件。