安徽长飞先进半导体股份有限公司

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L 租赁和商务服务业 72 商务服务业高新技术企业专精特新

统一社会信用代码: 91340200MA2RGU7M9T
法定代表人: 庄丹
成立日期: 2018-01-31
注册资本: 29570.8317万人民币

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工商登记信息

统一社会信用代码: 91340200MA2RGU7M9T
法定代表人: 庄丹
登记状态: 存续
成立日期: 2018-01-31
注册资本: 29570.8317万人民币
实缴资本: 26690.5937万人民币
企业类型: 其他股份有限公司(非上市)
企业规模: 大型
参保人数: 544 人（2023 年报）
营业期限: 2018-01-31 至 2068-01-30
登记地区: 安徽省芜湖市弋江区
核准日期: 2024-09-09
国标行业: L 租赁和商务服务业 › 72 商务服务业 › 其他商务服务业
注册号: 340200000373321
英文名称: Wuhu Tus-Semiconductor Co.,Ltd.
曾用名: 安徽长飞先进半导体有限公司，芜湖启迪半导体有限公司
注册地址: 安徽省芜湖市弋江区马塘街道利民东路82号

经营范围（展开）

许可项目：检验检测服务（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动，具体经营项目以相关部门批准文件或许可证件为准）一般项目：集成电路芯片及产品制造；集成电路芯片及产品销售；集成电路芯片设计及服务；半导体分立器件制造；半导体分立器件销售；电子专用材料研发；电子专用材料制造；电子专用材料销售；半导体器件专用设备制造；半导体器件专用设备销售；技术服务、技术开发、技术咨询、技术交流、技术转让、技术推广；软件开发；货物进出口；技术进出口（除许可业务外，可自主依法经营法律法规非禁止或限制的项目）

政府部门认定记录

国家级专精特新“小巨人”企业（2023 年，第五批）
省级专精特新中小企业（2021 年）
省级创新型中小企业（2024 年，第一批）
高新技术企业（2024-10-29 发证，编号 GR202434003187）
高新技术企业（2021-11-18 发证，编号 GR202134003925）

以上为工商登记及政府部门公开的认定信息，可能存在更新延迟，请以国家企业信用信息公示系统及认定部门发布为准。本站不对企业进行信用评级。

融资历程 3 次

A+ 未披露 2024-01-13 增资

投资方：海通并购资本文鑫私募投资
A 380000万元 2023-06-28 增资

投资方：山东高新创投山东高新创投方正和生信之风基金管理华安嘉业建信（北京）投资十月资本金缘投资十月桐生投资海通并购资本天兴资本云岫金涌投资安徽国元基金安徽国元基金宝樾资本中建材基金管理中金资本中金资本中金资本中金资本私募
A 未披露 2021-02-10 增资

投资方：水木同德股权投资

融资事件来自公开投融资事件数据整理，金额以披露为准；自然人投资者不显示姓名。

股东与对外投资

主要股东 50

中金知行(武汉)产业基金合伙企业(有限合伙) 85.0%
安徽国控十月新兴产业股权投资合伙企业(有限合伙) 85.0%
安徽徽元新能源产业投资基金合伙企业(有限合伙) 85.0%
武汉市睿恒企业管理咨询合伙企业(有限合伙) 82.0%
武汉光谷新技术产业投资有限公司 73.0%

登录后查看全部 50 个股东

控股及参股公司 1

芜湖太赫兹工程中心有限公司 100.0%

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来自 CSMAR 数据库及上市公司年报的最近一期数据；自然人股东只显示人数和合计持股比例。

分支机构 1 家

安徽长飞先进半导体股份有限公司上海分公司

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财务概况

报告期	营业总收入	净利润	资产总额	研发投入	净资产收益率	收入增长
2024-12-31	1.06 亿	-7193.1 万	13.46 亿	—	-5.8%	10.7%
2023-12-31	9539.6 万	-4555.0 万	8.52 亿	—	-5.9%	-19.0%
2022-12-31	1751.8 万	-1539.2 万	—	—	—	—
2020-12-31	3474.2 万	-583.8 万	3067.1 万	—	1465.4%	—

单位：元（人民币）；上市公司来自年度报告合并报表，其他企业来自 CSMAR 专精特新数据库；以企业公开披露为准，仅供参考。

专利 121 件

发明 68实用新型 48外观设计 5

2018

2019

2020

2021

2022

一种半导体金属电镀设备及其使用方法
发明 · 申请号 202211603693.4 · 申请日 2022-12-13 · 公开号 CN116083995A
一种控制TSD缺陷的4H-SiC外延结构及生长方法
发明 · 申请号 202211581942.4 · 申请日 2022-12-07 · 公开号 CN115832018A
一种SiC VDMOSFET功率器件及其制备方法
发明 · 申请号 202211557686.5 · 申请日 2022-12-06 · 公开号 CN116013987A
一种基于Mg扩散法的p型GaN基薄膜及其制备方法
发明 · 申请号 202211477979.2 · 申请日 2022-11-23 · 公开号 CN115911194A
一种碳化硅功率MOSFET器件的制备方法
发明 · 申请号 202211129937.X · 申请日 2022-09-16 · 公开号 CN115424936A

来自 CSMAR 专精特新数据库，按申请号去重；列出最近 20 件。